时间：2025/5/29 17:29:26
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SI3455ADV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。这款器件以其低导通电阻（Rds(on)）和高效率而闻名，特别适用于需要高频开关和低功耗的应用场景。其小型化的封装形式（如 ThinPAK 3x3）使其非常适合空间受限的设计环境。
该型号广泛应用于负载切换、DC/DC 转换器、电机控制、电源管理等场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：23A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：79nC
输入电容（典型值）：1360pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：ThinPAK 3x3
SI3455ADV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，得益于较低的栅极电荷和反向恢复电荷，适合高频应用。
3. 宽泛的工作温度范围，使其在极端环境下依然保持稳定运行。
4. 小型化封装设计，有助于降低整体解决方案的尺寸和重量。
5. 符合 RoHS 标准，并且具有良好的抗静电能力（HBM > 2kV）。
这些特点使得 SI3455ADV-T1-GE3 成为各种高效能电力电子设备的理想选择。
SI3455ADV-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 笔记本电脑及平板电脑中的 DC/DC 转换电路。
2. 电信和网络设备中的负载开关与电源管理模块。
3. 消费类电子产品中的电池管理单元。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换部分。
总之，任何需要高效能功率开关的应用都可以考虑使用此款 MOSFET。
SI3456DP-T1-E3, IRF7848PbF
