时间：2025/8/5 15:43:25
阅读：23
IXTM4N45是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高电流应用，如电源转换器、电机控制和工业设备。该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和高开关速度的特点，适用于需要高效率和高性能的功率电子系统。
型号：IXTM4N45
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压（VDS）：450 V
连续漏极电流（ID）：4 A
栅极-源极电压（VGS）：±30 V
导通电阻（RDS(on)）：最大值2.5 Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
IXTM4N45 MOSFET采用先进的制造工艺，具有优异的导通和开关性能。其高击穿电压（450V）使其适用于高压环境，同时其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下较低的功率损耗。此外，该器件具有出色的热稳定性和耐用性，能够在高温条件下稳定工作。
该MOSFET的栅极设计提供了良好的驱动能力和稳定性，使其在高频开关应用中表现优异。其±30V的栅极-源极电压范围提供了更高的操作灵活性，并减少了因电压波动导致的损坏风险。
在封装方面，IXTM4N45采用了标准的TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种电源和功率控制应用。
IXTM4N45广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、工业自动化系统以及家用电器中的功率控制部分。由于其高压和高可靠性的特点，它也常用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，以确保系统的稳定性和效率。
IRF740、STP4NK50Z、FQA4N45C
