时间：2025/6/29 15:07:18
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SI3447BDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关应用。其封装形式为 ThinPAK 8x8，适合表面贴装工艺，能够有效降低电路板空间占用。
型号：SI3447BDV-T1-GE3
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60 V
RDS(on)（导通电阻，典型值，@VGS=10V）：1.5 mΩ
ID（连续漏极电流）：212 A
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.2 V 至 4 V
Qg（总栅极电荷）：59 nC
EAS（雪崩能量）：1.1 J
封装：ThinPAK 8x8
SI3447BDV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可显著减少传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 212A 的连续漏极电流。
3. 小巧的 ThinPAK 8x8 封装设计，有助于节省 PCB 空间。
4. 支持高频开关应用，得益于较低的栅极电荷 (Qg)。
5. 宽范围的工作温度，从 -55°C 到 +175°C，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，并且具备无卤素特点。
7. 优异的热性能，能够承受较高的功率密度。
该 MOSFET 广泛应用于需要高效能、大电流处理能力的场景，例如：
1. 服务器和通信电源中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动控制电路。
4. 工业设备中负载切换及保护电路。
5. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
6. 高效电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
SI3448DDV-E3
IRF3710
FDP5580
