QT3860BC是一种高性能的功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低系统功耗并提升整体性能。它适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式紧凑,便于在空间受限的设计中使用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:12A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:19nC
输入电容:1320pF
反向传输电容:380pF
结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻设计,可显著减少导通损耗。
2. 快速开关速度,支持高频工作,有助于缩小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,适合长期运行。
5. 封装形式多样,满足不同应用需求,例如TO-220、TO-252等。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关或同步整流元件。
2. 电池保护电路中的理想二极管替代方案。
3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
4. 工业设备中的电机驱动及保护。
5. 各类便携式设备的高效电源管理解决方案。
6. DC-DC转换器中的高频开关元件。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400