UMD3NFHATR 时间：2025/12/25 11:38:09 阅读：13

UMD3NFHATR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道MOSFET，采用小型表面贴装封装（S-Mini），适用于需要高密度安装和低功率损耗的应用场景。该器件专为高频开关应用设计，在便携式设备和电源管理系统中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少传导损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性与可靠性，适合在紧凑型电子设备中长期运行。器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，广泛用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
　　UMD3NFHATR的封装形式为S-Mini，尺寸小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。该封装还具备优良的散热性能，通过优化引脚设计增强了热传导能力。器件的栅极阈值电压适中，可兼容多种逻辑电平驱动信号，包括微控制器直接驱动。ROHM在其制造过程中采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了单位面积下的电流处理能力，并有效降低了寄生参数的影响。

参数

型号：UMD3NFHATR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：S-Mini
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A
　　脉冲漏极电流(Id@pulse)：17.6A
　　功耗(Pd)：1W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(RDS(on) max @ VGS=10V)：37mΩ
　　导通电阻(RDS(on) max @ VGS=4.5V)：58mΩ
　　导通电阻(RDS(on) max @ VGS=2.5V)：85mΩ
　　栅极电荷(Qg)：9nC
　　输入电容(Ciss)：400pF
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　上升时间(Tr)：28ns
　　关断延迟时间(Td(off))：22ns
　　下降时间(Tf)：18ns

特性

UMD3NFHATR具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻是核心优势之一。在VGS=10V条件下，最大RDS(on)仅为37mΩ，而在较低驱动电压如4.5V和2.5V下也分别保持在58mΩ和85mΩ，这表明该器件即使在电池供电等电压受限的应用中仍能维持较高的效率。这种宽范围的栅压适应性使得它不仅适用于传统的12V或5V电源系统，还能在3.3V甚至更低电压的现代数字控制系统中稳定工作。
　　其次，该MOSFET采用了ROHM专有的沟槽结构技术，显著提升了载流子迁移率并减少了晶格散射效应，从而实现更低的导通损耗和更高的开关速度。同时，器件的输入电容（Ciss）仅为400pF，配合9nC的栅极电荷（Qg），使其在高频开关环境下具有较小的驱动功率需求，有利于提升整体电源转换效率，尤其是在DC-DC变换器、同步整流和负载开关等应用中表现突出。
　　再者，UMD3NFHATR的封装设计兼顾了小型化与散热性能。S-Mini封装尺寸紧凑，典型尺寸约为1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，非常适合高密度贴装需求。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或背面，增强热管理能力。此外，器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，提高了在复杂电磁环境中的运行可靠性。
　　最后，该器件支持?55℃至+150℃的宽工作结温范围，确保在极端环境条件下仍能正常运作，适用于汽车电子、工业自动化等对环境耐受性要求较高的领域。综合来看，UMD3NFHATR以其低RDS(on)、高速开关、小尺寸封装和高可靠性，成为众多中低功率开关应用的理想选择。

应用

UMD3NFHATR广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适合对空间和能效有较高要求的设计场景。常见应用包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电池充电电路与负载开关控制。在这些设备中，该MOSFET可用于控制不同功能模块的供电通断，利用其低静态电流和快速响应特性延长待机时间。
　　此外，该器件常用于DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关管。由于其低导通电阻和较小的栅极电荷，能够显著降低开关损耗和传导损耗，从而提高转换效率，减少发热。这类应用常见于嵌入式处理器供电、FPGA核心电压调节以及LED背光驱动电源中。
　　在工业控制领域，UMD3NFHATR可用于继电器驱动、电机控制电路中的H桥开关元件或I/O端口保护电路。其高耐压能力和稳定的开关特性保证了控制信号的准确传递与执行机构的安全运行。
　　通信设备中，该MOSFET也常被用作热插拔控制器或电源路径切换开关，确保系统在不断电情况下安全接入或移除模块。同时，因其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，也可用于车载信息娱乐系统、传感器电源管理等汽车电子应用。总之，凡涉及低电压、中小电流、高频开关的场合，UMD3NFHATR均具备出色的适用性。