类型：NPN Bipolar Junction Transistor
　　集射极电压 VCEO：1700 V
　　集电极电流 IC：24 A
　　集电极峰值电流 ICM：48 A
　　发射极-基极反向电压 VEB：30 V
　　集射极饱和电压 VCE(sat)：5.0 V（典型值，IC = 24A, IB = 2.4A）
　　直流电流增益 hFE：10 至 30（IC = 12A）
　　功率耗散 PC：300 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围 TJ：-55 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247AC
　　上升时间 tr：1.2 μs（典型值）
　　下降时间 tf：4.0 μs（典型值）
　　雪崩能量 EAS：1.5 J（典型值）

IXGH24N170A具备出色的高电压阻断能力，其集射极击穿电压VCEO高达1700V，使其能够在极端高压环境中可靠运行，广泛应用于高压电源系统和工业逆变设备中。这种高耐压特性得益于器件内部优化的掺杂分布和宽禁带半导体工艺设计，有效抑制了漏电流并提高了临界电场强度。同时，该晶体管能够承受高达24A的连续集电极电流，并支持短时峰值电流达到48A，展现出强大的负载驱动能力，非常适合需要瞬间大功率输出的应用场景。
　　另一个关键特性是其优异的雪崩耐受能力。IXGH24N170A经过严格测试，在非钳位感性负载开关过程中可吸收高达1.5焦耳的单脉冲雪崩能量，这显著增强了其在电感性负载切换或意外电压突波情况下的生存能力。这一特性对于提高整个电力电子系统的鲁棒性至关重要，尤其是在高频开关电源和电机控制器中，能够有效防止因电压尖峰导致的器件失效。
　　该器件还具有相对较低的集射极饱和电压VCE(sat)，在IC=24A、IB=2.4A条件下典型值仅为5.0V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。虽然作为双极型晶体管其驱动依赖于基极电流而非电压控制，但其直流电流增益hFE维持在10至30之间，表明其具备较好的电流放大能力，可在合理基极驱动下实现高效功率控制。
　　热性能方面，IXGH24N170A采用TO-247封装，具有低热阻特性，最大功耗可达300W（当壳温为25°C时），配合适当的散热器可确保长时间高负荷运行下的温度稳定性。其工作结温范围从-55°C到+150°C，适应各种恶劣环境条件，包括高温工业现场和低温户外装置。此外，器件内部结构经过优化，具备良好的抗二次击穿能力，进一步提升了在高电压大电流交叉区域工作的安全性。

IXGH24N170A主要应用于各类高功率、高电压的电力电子系统中。常见用途包括工业级直流-交流逆变器，特别是在太阳能发电系统中的大型光伏逆变器模块，利用其高耐压和大电流能力实现高效的能量转换。此外，该器件也广泛用于感应加热设备，如金属熔炼炉、电磁炉和热处理系统，这些应用通常需要在数十千赫兹频率下进行高频开关操作，而IXGH24N170A的快速响应特性和高雪崩能量承受能力正好满足此类需求。
　　在高压直流电源领域，例如X射线发生器、激光电源和静电除尘系统中，IXGH24N170A被用作主开关元件，负责控制高压回路的通断。由于这类系统经常面临瞬态过压和反向电动势冲击，因此器件的1700V耐压和1.5J雪崩能量指标显得尤为重要。同时，其稳定的VCE(sat)和良好的热管理能力也有助于减少能量损耗，延长设备使用寿命。
　　该晶体管还可用于电机驱动系统，尤其是中高压交流或直流电机的斩波调速控制电路中，作为功率级开关使用。在UPS不间断电源和电焊机等设备中，IXGH24N170A同样发挥着核心作用，承担主功率通路的开关任务。此外，在脉冲功率技术领域，如雷达发射机、粒子加速器和电磁脉冲发生装置中，该器件因其高电流脉冲承载能力和快速开关特性而受到青睐。
　　由于其TO-247封装便于安装散热器且电气连接可靠，IXGH24N170A特别适合密集型功率模块的设计与集成。总体来看，该器件适用于所有对可靠性、耐压等级和功率密度有较高要求的工业级应用场景，是传统IGBT或MOSFET难以覆盖的超高耐压分立晶体管解决方案之一。

IXGH24N170C
　　IXGH20N170
　　IXTH24N170