IS43DR16320C-3DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类别。该型号的存储容量为16M x 32位,总共提供512MB的数据存储能力,采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。该芯片广泛用于需要高速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。
容量:16M x 32位
电压:3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:165
工作温度:-40°C至85°C
访问时间:3.3ns
数据保持时间:16ms
最大时钟频率:166MHz
IS43DR16320C-3DBLI具有低功耗设计,支持CMOS工艺以提高能效,适用于需要长时间运行的工业和嵌入式应用。其高速访问时间为系统提供了出色的性能表现,确保数据的快速读写操作。此外,该芯片的封装形式为TSOP,适合高密度PCB布局,并提供良好的热稳定性。芯片的165引脚设计使得与外部控制器的连接更加稳定可靠。
该器件还具备自动刷新和自刷新功能,能够有效延长数据保持时间,减少外部控制器的负担。工作温度范围较宽,从-40°C到85°C,使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外,该DRAM芯片的电气兼容性良好,可以方便地集成到多种系统设计中。
IS43DR16320C-3DBLI主要用于工业控制设备、网络设备、通信基础设施、医疗设备和嵌入式系统。它适用于需要大容量高速存储的场合,例如图像处理设备、数据采集系统和嵌入式计算平台。由于其高可靠性和宽温工作范围,也非常适合在工业自动化和远程监控系统中使用。此外,该芯片也可用于消费类电子产品中,如高端智能电视和多媒体设备。
IS48C16320B-3BLI, CY7C1370B-3.3V, IDT71V416SA35PFG