时间：2025/9/1 14:07:47
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IS43DR16320C-3DBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM类别。该型号的存储容量为16M x 32位，总共提供512MB的数据存储能力，采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高性能的特点。该芯片广泛用于需要高速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。
容量：16M x 32位
电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：165
工作温度：-40°C至85°C
访问时间：3.3ns
数据保持时间：16ms
最大时钟频率：166MHz
IS43DR16320C-3DBLI具有低功耗设计，支持CMOS工艺以提高能效，适用于需要长时间运行的工业和嵌入式应用。其高速访问时间为系统提供了出色的性能表现，确保数据的快速读写操作。此外，该芯片的封装形式为TSOP，适合高密度PCB布局，并提供良好的热稳定性。芯片的165引脚设计使得与外部控制器的连接更加稳定可靠。
该器件还具备自动刷新和自刷新功能，能够有效延长数据保持时间，减少外部控制器的负担。工作温度范围较宽，从-40°C到85°C，使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外，该DRAM芯片的电气兼容性良好，可以方便地集成到多种系统设计中。
IS43DR16320C-3DBLI主要用于工业控制设备、网络设备、通信基础设施、医疗设备和嵌入式系统。它适用于需要大容量高速存储的场合，例如图像处理设备、数据采集系统和嵌入式计算平台。由于其高可靠性和宽温工作范围，也非常适合在工业自动化和远程监控系统中使用。此外，该芯片也可用于消费类电子产品中，如高端智能电视和多媒体设备。
IS48C16320B-3BLI, CY7C1370B-3.3V, IDT71V416SA35PFG
