容量：4GB
　　架构：HBM2
　　工作电压：1.3V
　　数据速率：2.4Gbps
　　封装类型：FCBGA
　　引脚数：1024
　　带宽：128GB/s
　　温度范围：0°C至85°C

H5GC(Q)4H24MFR 的主要特性包括高带宽、低功耗和紧凑型设计。该芯片采用先进的3D堆叠技术，将多个DRAM裸片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV，Through Silicon Via）实现高速互连，从而显著提升数据传输效率并减少延迟。此外，其接口基于HBM2标准，支持高达2.4Gbps的数据速率，能够满足需要大量数据吞吐的应用需求。芯片的工作电压为1.3V，相较于传统GDDR5或DDR4内存，在功耗方面有明显优化，适合用于需要高效能与低功耗平衡的系统。H5GC(Q)4H24MFR 还具备宽温度范围适应能力，可在0°C至85°C的环境下稳定运行，确保在严苛的工业和嵌入式环境中也能可靠工作。
　　为了提升系统设计的灵活性，该芯片采用1024引脚的FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）封装形式，有效减小了PCB布局的空间需求，并增强了散热性能。这种封装方式也使得内存模块可以更紧密地集成到SoC或GPU中，进一步提升整体系统的性能和能效。H5GC(Q)4H24MFR 的设计还支持ECC（错误校正码）功能，有助于提高数据完整性和系统稳定性，这在高性能计算和数据中心应用中尤为重要。

H5GC(Q)4H24MFR 广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、AI加速器、高端FPGA、网络交换设备以及工业自动化系统。在GPU和AI加速器中，该内存芯片能够提供极高的带宽，支持复杂的并行计算任务，如深度学习训练和推理、图像渲染以及大规模数据处理。在HPC系统中，H5GC(Q)4H24MFR 的低延迟和高吞吐量特性使其成为科学模拟、流体动力学计算和大规模数据库处理的理想选择。此外，在高端FPGA和网络设备中，该芯片可为实时数据包处理、高速缓存和缓冲区提供高效的内存解决方案。由于其紧凑的设计和优异的能效表现，H5GC(Q)4H24MFR 也被广泛用于下一代数据中心的AI推理服务器、自动驾驶计算平台以及高端嵌入式视觉系统中。

H5GC4H24MJR, H5GC4H24AFR, HBM2-4GB-2.4Gbps