NP32N055ILE 时间：2025/6/21 10:47:29 阅读：5

NP32N055ILE 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。它采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而提高了系统的效率和性能。
　　该器件的最大漏源电压为 55V，适合在中低压应用环境中使用。同时，其封装形式为 LFPAK8 封装，具备出色的散热性能和电气连接可靠性。

参数

最大漏源电压(V_DS)：55V
　　连续漏极电流(I_D)：32A
　　导通电阻(R_DS(on))：1.6mΩ（典型值，在 V_GS=10V 时）
　　栅极电荷(Q_g)：47nC
　　开关速度：快速开关
　　工作结温范围(T_j)：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：LFPAK8

特性

NP32N055ILE 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，减少开关损耗并提升高频应用中的表现。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 具备良好的热稳定性和电气性能，适用于严苛的工作环境。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，适合高密度电路板设计。

应用

NP32N055ILE 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 电池管理系统(BMS) 和电动汽车(EV) 相关应用中的功率分配与控制。