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SI3434DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/12/24 5:47:47 查看 阅读:50

SI3434DV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的高效率同步整流降压直流转换器。该芯片集成了高侧和低侧 MOSFET,能够提供高达 4A 的连续输出电流,适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
  这款芯片具有快速的瞬态响应能力,并且通过其恒定导通时间(COT)控制模式,能够在宽负载范围内保持高效率。此外,它还内置了多种保护功能,包括过流保护、短路保护以及过温保护,以确保系统运行的稳定性。

参数

输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.6V 至 VIN
  开关频率:可调,最高可达 2.2MHz
  输出电流:最大 4A
  静态电流:典型值 35uA
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:3mm x 3mm QFN-16 封装

特性

SI3434DV-T1-GE3 提供了卓越的性能和灵活性。它的 COT 架构简化了环路补偿设计,减少了外部元件的数量,从而降低了整体方案的成本并节省了 PCB 空间。
  此外,该芯片还支持可编程软启动功能,允许用户自定义启动时的行为,避免浪涌电流对系统的冲击。
  在轻载条件下,芯片可以自动进入脉冲跳跃模式或强制 PWM 模式,以优化效率表现。其强大的保护机制也使其非常适合于汽车电子、工业设备以及消费类电子产品等应用领域。

应用

该芯片广泛应用于便携式电子设备,例如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
  同时,在电池供电系统中,如无线传感器节点和蓝牙耳机充电盒等场景下,SI3434DV-T1-GE3 的高效特性和小尺寸优势也得到了充分体现。
  此外,它还可用于 USB-PD 适配器、固态硬盘 (SSD) 电源以及物联网 (IoT) 设备中的电源转换环节。

替代型号

SI3444DV-T1-GE3
  SI3432DV-T1-GM2

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SI3434DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34 毫欧 @ 6.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)