时间：2025/5/20 16:19:37
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SI3226-C-FQR是Vishay Siliconix推出的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的QFN封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于功率转换、负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。其工作电压范围宽，支持多种工业和消费类电子设备的需求。
该器件具备极低的栅极电荷和输出电荷，从而能够减少开关损耗并提升效率，同时其坚固的设计也确保了在严苛环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：100pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装类型：PowerPAK? 8x8 QFN
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 小尺寸封装设计，节省PCB空间。
4. 出色的热性能，有效提高散热效率。
5. 快速开关特性，减少开关损耗。
6. 可靠性高，能够在极端温度条件下稳定工作。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 各类负载开关应用。
3. DC-DC转换器中的同步整流电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
5. 工业电机驱动及控制。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。
SI3242DP, IRFR3207, AO3207
