时间：2025/5/20 16:32:54
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SI1417DH-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特定向离散 MOSFET，采用微型 TSSOP 封装。该器件专为低电压、高效率应用设计，广泛应用于便携式设备、电源管理以及开关电路中。
它利用 Vishay 的硅加工技术实现了超低导通电阻和栅极电荷特性，从而在功率密度和效率方面表现出色。此外，该产品符合 RoHS 标准，并具备出色的热稳定性和可靠性。
类型：N 沃特定向 MOSFET
封装：TSSOP-6 ( miniature )
VDS（漏源极击穿电压）：20V
RDS(on)（导通电阻，典型值@ VGS=10V）：8.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：18A
Qg（总栅极电荷）：9nC
VGS(th)（栅源开启电压）：1.2V~3V
EAS（雪崩能量）：350μJ
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
SI1417DH-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可以有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，尤其适用于高频应用。
3. 微型 TSSOP 封装形式，在紧凑空间内提供高性能，非常适合便携式电子产品。
4. 符合严格的工业标准，包括无铅工艺和 RoHS 要求。
5. 提供卓越的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
6. 高雪崩能量能力增强了其在瞬态条件下的鲁棒性。
这款 MOSFET 器件适合多种应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理和保护电路。
4. 固态继电器和负载切换。
5. 电机驱动和音频放大器的开关控制。
6. 可携式电子装置如笔记本电脑适配器及手机充电器内的功率转换模块。
SI1418DH, BSC018N06NS3G, FDN340P
