SI3050-E1-FT是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用微型PowerPAK? SO-8封装,适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载切换以及电机控制等应用。得益于其低导通电阻和快速开关特性,这款MOSFET非常适合高频工作场景,可显著降低功耗并提升系统性能。
该器件的主要特点是具备出色的电气特性和热性能,并且具有极低的栅极电荷,从而能够优化开关损耗和驱动需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:12A
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:14nC(典型值)
输入电容:1090pF(典型值)
总电荷:15nC(典型值)
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 低导通电阻确保了在高电流应用中的高效运行,减少传导损耗。
2. 极低的栅极电荷支持高频操作,同时降低开关损耗。
3. PowerPAK SO-8封装提供了良好的散热性能和较低的寄生电感,适合紧凑型设计。
4. 高工作温度范围(-55℃至175℃)使其能够适应各种严苛环境条件。
5. 符合RoHS标准,环保友好。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 同步整流器中作为主开关或续流二极管使用。
3. DC-DC转换器中的主开关元件。
4. 负载切换电路中的电子开关。
5. 电机控制及驱动中的功率级元件。
6. 工业自动化设备中的功率调节与控制。
IRF7846PBF, AO3400A