FK1252KW-025-TT30G-50 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该型号属于增强型N沟道MOSFET,采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能。
该器件能够在高频工作条件下保持较低的损耗,并提供可靠的电气性能,适合工业及消费类电子产品的各种应用场景。
最大漏源电压:25V
连续漏极电流:30A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:30nC
开关频率:高达500kHz
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性,支持高频应用并降低开关损耗。
3. 优异的热稳定性,能够承受较高的结温和负载条件。
4. 内置ESD保护功能,增强芯片在实际使用中的抗静电能力。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间,适合紧凑型电路设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 消费类电子产品中的电池管理模块。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06