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RF18N5R1C101CT 发布时间 时间:2025/7/9 20:56:46 查看 阅读:4

RF18N5R1C101CT 是一款高频射频 (RF) 器件,通常用于射频功率放大器、低噪声放大器以及其他射频电路中。该型号属于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),具备高频率、高效率和高功率密度的特点,适合于通信系统、雷达以及卫星通信等应用领域。
  这款器件的封装形式一般为陶瓷气密封装,能够有效提高其散热性能和可靠性,同时保证在高频工作下的稳定性。

参数

最大漏极电流:5A
  击穿电压:100V
  输出功率:50W
  增益:12dB
  工作频率范围:30MHz - 3GHz
  导通电阻:0.2Ω
  封装类型:Ceramic Flange Package

特性

RF18N5R1C101CT 的主要特性包括:
  1. 使用 GaN HEMT 技术,提供更高的功率密度和效率,使其非常适合高频和高功率应用场景。
  2. 具备出色的线性度和增益性能,能够在宽频率范围内保持稳定的输出。
  3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并降低了系统复杂性。
  4. 封装材料选用高性能陶瓷,可显著提升热管理能力,从而延长使用寿命。
  5. 适用于多种射频通信标准,如 LTE、5G NR 和 WiMAX 等,同时也支持军事和航空航天领域的特殊需求。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
  2. 航空航天和国防雷达系统的发射机组件。
  3. 卫星通信设备中的上行链路放大器。
  4. 医疗成像系统中的超声波发射模块。
  5. 工业加热及等离子体生成装置中的射频电源部分。

替代型号

RF18N5R1C102CT, RF18N5R1C103CT

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RF18N5R1C101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.22270卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5.1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-