RF18N5R1C101CT 是一款高频射频 (RF) 器件,通常用于射频功率放大器、低噪声放大器以及其他射频电路中。该型号属于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),具备高频率、高效率和高功率密度的特点,适合于通信系统、雷达以及卫星通信等应用领域。
这款器件的封装形式一般为陶瓷气密封装,能够有效提高其散热性能和可靠性,同时保证在高频工作下的稳定性。
最大漏极电流:5A
击穿电压:100V
输出功率:50W
增益:12dB
工作频率范围:30MHz - 3GHz
导通电阻:0.2Ω
封装类型:Ceramic Flange Package
RF18N5R1C101CT 的主要特性包括:
1. 使用 GaN HEMT 技术,提供更高的功率密度和效率,使其非常适合高频和高功率应用场景。
2. 具备出色的线性度和增益性能,能够在宽频率范围内保持稳定的输出。
3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并降低了系统复杂性。
4. 封装材料选用高性能陶瓷,可显著提升热管理能力,从而延长使用寿命。
5. 适用于多种射频通信标准,如 LTE、5G NR 和 WiMAX 等,同时也支持军事和航空航天领域的特殊需求。
该芯片广泛应用于以下场景:
1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
2. 航空航天和国防雷达系统的发射机组件。
3. 卫星通信设备中的上行链路放大器。
4. 医疗成像系统中的超声波发射模块。
5. 工业加热及等离子体生成装置中的射频电源部分。
RF18N5R1C102CT, RF18N5R1C103CT