时间：2025/7/4 5:26:34
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SI2374DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻和高效率，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备等领域。其封装形式为 ThinSOT25 (SC-79)，适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通65mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：6nC（典型值）
总功耗：350mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2374DS 采用 Vishay 的第三代沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻，从而提高了整体效率。
它支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，非常适合锂电池供电应用。
器件的小尺寸封装（ThinSOT25）使其成为便携式电子产品的理想选择。
MOSFET 的快速开关性能减少了开关损耗，同时优化了电磁干扰表现。
由于其高可靠性与宽温度范围支持，这款器件能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
SI2374DS 常用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景中，包括但不限于：
手机和平板电脑中的负载开关
笔记本电脑和便携式设备的电源管理
DC-DC 转换器和降压电路
USB 充电器及端口保护
电池供电产品中的节能设计
SI2380DS, SI2376DS, BSS138
