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TC7WBD126FK 发布时间 时间:2025/7/8 18:42:15 查看 阅读:11

TC7WBD126FK 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其出色的导通电阻和快速的开关特性使其非常适合高效能要求的电路设计。
  TC7WBD126FK 的封装形式为 TO-252(DPAK),这种小型化表面贴装封装使得它非常适合空间受限的应用环境。同时,这款器件支持较高的工作电压,具备良好的热性能和电气稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:非常快
  功耗:13.4W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

TC7WBD126FK 提供了低导通电阻以减少传导损耗,从而提高效率。
  其封装设计优化了散热性能,能够在高功率密度环境下稳定运行。
  芯片内部采用了先进的工艺技术,保证了高速开关的同时降低了开关损耗。
  此外,该器件还具有较低的输入电容和输出电容,进一步提升了整体性能。
  在电磁兼容性方面,TC7WBD126FK 经过优化设计,能够有效降低高频噪声的产生。
  其稳健的结构和可靠性设计确保了长期使用的稳定性。

应用

TC7WBD126FK 可用于多种电力电子领域中的核心组件,例如:
  - 开关电源(SMPS) 和适配器
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动和控制
  - 电池保护和管理系统(BMS)
  - 工业自动化设备中的负载开关
  - 汽车电子系统中的电源管理
  - 多种消费类电子产品中的功率转换模块

替代型号

IRFZ44N, FDP5580, AO3400A

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