时间：2025/4/29 12:21:34
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SI2333CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用小型化的 SOT-23 封装形式。这款器件广泛应用于需要低导通电阻和快速开关性能的电路中，例如负载切换、DC/DC 转换器、电池管理以及便携式电子设备中的电源管理领域。
其设计旨在为工程师提供一种高效率且节省空间的解决方案，特别适合对功耗和 PCB 空间有严格要求的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.4A
栅极阈值电压：1.8V 至 2.5V
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗：360mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
SI2333CDS 具有较低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高整体效率。该器件的栅极电荷较小，确保了更快的开关速度，从而减少了开关损耗。此外，SOT-23 封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，非常适合紧凑型设计。
该芯片具有出色的 ESD 防护能力，能够在制造和使用过程中有效防止静电损害。同时，其电气特性和热性能经过优化，可满足各种严苛的工作条件需求。
SI2333CDS 可用于多种应用场合，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 低功率 DC/DC 转换器及同步整流电路。
3. 电池供电设备中的电源管理模块。
4. 工业控制和消费类电子产品中的信号切换功能。
5. 数据通信接口保护及小型化电源设计。
SI2302DS, BSS138, FDN340P
