时间：2025/5/10 8:41:59
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BSC076N04ND 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于各种高效率、低损耗的功率转换和开关应用。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，同时具备快速开关性能，适合在高频应用中使用。其封装形式为 DPAK（TO-252），具有良好的散热性能。
BSC076N04ND 的额定电压为 40V，可承受较高的漏源电压，同时其最大连续 drain 电流高达 18A（在特定条件下）。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及各类电源管理系统中。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷：17nC（典型值）
输入电容：1600pF（典型值）
总功耗：130W（基于指定封装和散热条件）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 具备反向恢复电荷低的特点，有助于提升整体系统性能。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 各类电机驱动场景，包括步进电机、无刷直流电机等。
5. 负载开关及保护电路设计。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节单元。
BSC076N04LS G,BSC078N04LS
