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HY57V28820HCT-6 发布时间 时间:2025/9/1 22:21:20 查看 阅读:7

HY57V28820HCT-6 是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高速数据访问的电子设备中。该芯片的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),支持快速的读写操作,适用于需要大量数据处理的应用场景。

参数

容量:128MB
  组织结构:16位数据宽度
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:0°C至70°C
  引脚数:54

特性

HY57V28820HCT-6是一款高性能的DRAM芯片,具有较大的存储容量和快速的访问速度,适合于需要大量数据缓存的应用。其16位的数据宽度能够提供较高的数据吞吐率,支持166MHz的时钟频率,确保了数据处理的高效性。此外,该芯片采用3.3V的电源供电,具有较低的功耗和良好的稳定性,适用于各种工业级应用环境。
  该芯片的TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用,并提供良好的散热性能。其工作温度范围在0°C至70°C之间,适用于大多数常规电子设备的运行环境。HY57V28820HCT-6的访问时间为5.4ns,表明其具有非常快的数据响应能力,能够在高速应用中提供稳定的性能。

应用

HY57V28820HCT-6被广泛应用于需要高速数据存储和处理的设备中,如个人电脑、服务器、工业控制设备、网络设备以及嵌入式系统。其高性能和稳定性使其成为图形处理、数据缓存和高速运算等应用场景的理想选择。

替代型号

IS42S16800B-6TL, MT48LC16M1A2B4-6A

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