时间：2025/8/8 19:57:15
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2MSI200VAB-120-53是一种工业级的IGBT模块，专为高功率应用设计。它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。
类型：IGBT模块
额定电压：1200V
额定电流：200A
封装类型：模块式封装
工作温度范围：-40°C至+150°C
最大功耗：350W
导通压降：约2.1V
短路耐受能力：5μs
隔离电压：2500Vrms
2MSI200VAB-120-53具备高电流承载能力和优异的热性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其模块化设计便于安装和维护，并且提供了良好的电气隔离。此外，该模块采用了先进的芯片技术，降低了开关损耗并提高了整体效率。内置的保护功能使其在过载或短路情况下能够自动切断电流，延长了设备的使用寿命。
该模块的封装设计考虑了散热需求，确保在高功率操作时的热稳定性。其材料选择和结构设计符合国际标准，适用于各种工业环境。2MSI200VAB-120-53的可靠性和高效性使其成为电力电子应用中的理想选择。
2MSI200VAB-120-53广泛应用于电力变换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、风力发电变流器以及电动汽车充电设备等高功率场合。它在这些应用中发挥着关键作用，确保系统的高效能和高可靠性。
2MBI200XV-120-50, FS200R12KT4
