ME10N03D是一款由Microchip公司生产的MOSFET晶体管,采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于低电压、低功耗的场景中,能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻。其设计适合于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关以及各种电源管理应用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.1A
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω
栅极电荷:4nC
开关时间:典型值ton=9ns,toff=13ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
ME10N03D具有非常低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高效率。
该器件的紧凑型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用。
其快速开关能力确保在高频操作时表现出色。
此外,它还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
ME10N03D广泛用于消费类电子产品中的负载开关控制。
适用于电池供电设备,例如手机、平板电脑和其他便携式设备。
可以用作DC-DC转换器中的同步整流器元件。
同时,也适用于小型电机驱动和信号切换等场景。
BSS138
FDS255AN
AO3400