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ME10N03D 发布时间 时间:2025/5/23 9:52:00 查看 阅读:21

ME10N03D是一款由Microchip公司生产的MOSFET晶体管,采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于低电压、低功耗的场景中,能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻。其设计适合于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关以及各种电源管理应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.65Ω
  栅极电荷:4nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=13ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

ME10N03D具有非常低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高效率。
  该器件的紧凑型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用。
  其快速开关能力确保在高频操作时表现出色。
  此外,它还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。

应用

ME10N03D广泛用于消费类电子产品中的负载开关控制。
  适用于电池供电设备,例如手机、平板电脑和其他便携式设备。
  可以用作DC-DC转换器中的同步整流器元件。
  同时,也适用于小型电机驱动和信号切换等场景。

替代型号

BSS138
  FDS255AN
  AO3400

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