时间：2025/5/23 9:52:00
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ME10N03D是一款由Microchip公司生产的MOSFET晶体管，采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于低电压、低功耗的场景中，能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻。其设计适合于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关以及各种电源管理应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω
栅极电荷：4nC
开关时间：典型值ton=9ns，toff=13ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
ME10N03D具有非常低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高效率。
该器件的紧凑型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用。
其快速开关能力确保在高频操作时表现出色。
此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
ME10N03D广泛用于消费类电子产品中的负载开关控制。
适用于电池供电设备，例如手机、平板电脑和其他便携式设备。
可以用作DC-DC转换器中的同步整流器元件。
同时，也适用于小型电机驱动和信号切换等场景。
BSS138
FDS255AN
AO3400
