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NTGD3133PT1G 发布时间 时间:2025/6/3 16:31:41 查看 阅读:6

NTGD3133PT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,采用先进的增强型 GaN FET 结构。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并减少系统尺寸。
  它适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、无线充电设备以及其他需要高效率和高频工作的应用场景。该型号由 Nexperia 提供,广泛应用于消费电子和工业领域。

参数

最大漏源电压:600V
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:40nC
  连续漏极电流:9A
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

NTGD3133PT1G 的主要特性包括其卓越的热性能和电气性能:
  1. 基于氮化镓技术,提供比传统硅 MOSFET 更高的效率和更低的开关损耗。
  2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在大电流应用中降低功耗。
  3. 快速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,适合高频应用。
  4. 高击穿电压 (600V),使其能够在高压环境下稳定运行。
  5. 小巧的封装设计(如 PDFN5x6)可节省 PCB 占用空间。
  6. 完全兼容标准硅驱动电路,简化了系统设计和升级过程。
  7. 符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛环境下的可靠性。

应用

这款 GaN 晶体管适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的 PFC 和 LLC 转换器。
  2. USB PD 充电器及快充适配器。
  3. 数据中心服务器电源模块。
  4. 电动汽车车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
  5. 工业电机驱动和逆变器控制。
  6. 无线充电发射端与接收端设计。
  由于其高效的能量转换能力,NTGD3133PT1G 成为追求高性能和紧凑设计的理想选择。

替代型号

NTGD3134PT1G, NTGD3135PT1G

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NTGD3133PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C145 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 10V
  • 功率 - 最大560mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)