SI2329DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和信号切换应用。其设计优化了功率转换效率,并支持较高的连续漏极电流。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±10V
连续漏极电流:25A
导通电阻:1.4mΩ
总栅极电荷:48nC
输入电容:1640pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SI2329DS-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的热性能,使其非常适合高频开关应用。此外,它还具备以下特点:
- 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
- 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
- 快速开关特性,适合高效 DC-DC 转换器。
- 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
- 小型封装设计,节省 PCB 空间。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
- 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
- DC-DC 转换器的核心功率开关。
- 电机驱动电路中的功率控制。
- 电池管理系统中的负载开关。
- 通信设备中的高效信号切换。
SI2328DS, IRF2807ZPBF