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SI2329DS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/11 20:13:21 查看 阅读:10

SI2329DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和信号切换应用。其设计优化了功率转换效率,并支持较高的连续漏极电流。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:1.4mΩ
  总栅极电荷:48nC
  输入电容:1640pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

SI2329DS-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的热性能,使其非常适合高频开关应用。此外,它还具备以下特点:
  - 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  - 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  - 快速开关特性,适合高效 DC-DC 转换器。
  - 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  - 小型封装设计,节省 PCB 空间。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  - 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  - DC-DC 转换器的核心功率开关。
  - 电机驱动电路中的功率控制。
  - 电池管理系统中的负载开关。
  - 通信设备中的高效信号切换。

替代型号

SI2328DS, IRF2807ZPBF

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SI2329DS-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.69000剪切带(CT)3,000 : ¥1.81555卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)8 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 5.3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)800mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1485 pF @ 4 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3