时间：2025/7/4 19:10:00
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HH18N301J500CT是一款基于硅基材料制造的高压大功率MOSFET晶体管，适用于高电压和大电流的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热稳定性等特性。其封装形式通常为TO-247，适合用于工业电源、电机驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）等应用领域。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：120nC
开关时间：ton=90ns, toff=65ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
HH18N301J500CT具有出色的电气性能，主要体现在以下几个方面：
1. 高耐压能力：器件的最大漏源电压高达1200V，非常适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为0.18Ω，在大电流条件下能够有效降低功耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和快速的开关时间使得该器件能够在高频条件下高效运行。
4. 热稳定性强：能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于恶劣环境下的应用。
5. 强大的散热设计：采用TO-247封装，能够有效提高散热性能，确保长期稳定运行。
HH18N301J500CT广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：如开关电源、直流-直流转换器等。
2. 电机驱动：用于控制各种类型的电动机，包括步进电机、伺服电机等。
3. 太阳能逆变器：在光伏发电系统中作为关键的功率转换元件。
4. 不间断电源（UPS）：为关键设备提供可靠的电力保障。
5. 电动汽车：应用于电动车的牵引逆变器和其他电力电子模块中。
IRFP460, STP120NF75, FGH18N120SMD
