时间：2025/6/18 9:41:09
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SI2319DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用微型封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于高频开关应用、负载开关以及 DC-DC 转换器等场景。
其设计能够承受高达 60V 的漏源极电压，并具备出色的栅极驱动能力。由于采用了小尺寸的 SOT-23 封装形式（型号后缀 -T1 表示 SOT-23 封装），因此它在空间受限的应用中非常实用。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±8V
连续漏极电流：3.7A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ（典型值，@ Vgs=4.5V）
栅极电荷：3.5nC（典型值）
总功耗：420mW（@ Ta=25°C）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
1. 高效率和低导通电阻，减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适用于高频应用。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 支持高电流操作，在额定条件下表现出优异的热稳定性。
5. 提供反向传输二极管功能，进一步增强电路保护。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或初级侧开关。
2. 移动设备和便携式电子产品的负载开关。
3. 电池供电系统的保护和切换。
4. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
5. 电机驱动和信号调理电路中的功率级元件。
6. 各种消费类电子产品中的高效能功率管理模块。
SI2301DS, SI2306DS, BSS138
