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BSS84PWH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/7/16 10:06:35 查看 阅读:7

BSS84PWH6327XTSA1是一款N沟道小型信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于模拟和数字电路中作为开关或放大器元件。该器件采用SOT-23封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高稳定性等特点。其设计旨在满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域的需求。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):0.2A
  导通电阻(Rds(on)):750Ω(在Vgs=-10V时)
  总功耗(Ptot):340mW
  工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃

特性

BSS84PWH6327XTSA1具有以下特点:
  1. 超低的输入电容使其具备更快的开关速度。
  2. 高度稳定的电气性能确保了长时间运行下的可靠性。
  3. 低噪声设计使得它非常适合用于精密信号处理环境。
  4. 小型化的SOT-23封装有助于节省PCB空间并简化散热管理。
  5. 在各种负载条件下均能提供高效的导通能力,适合电池供电系统中的电源管理应用。

应用

这款MOSFET适用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. 手机、平板电脑等便携式设备中的负载切换。
  3. 数字电路中的信号传输与隔离。
  4. 电机驱动电路中的保护和控制。
  5. 过流保护及短路保护电路的设计。

替代型号

BSS84PW, BSS84

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BSS84PWH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)3,000 : ¥0.50752卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 欧姆 @ 150mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)19.1 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT323
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323