BUK555-100B 时间：2025/6/6 8:40:45 阅读：22

BUK555-100B 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器以及负载切换等场景。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效率应用的理想选择。
　　该MOSFET的最大漏源电压为100V，连续漏极电流可达7A，同时具有低导通电阻的特点，有助于减少功耗并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻（典型值）：85mΩ
　　栅极电荷（典型值）：19nC
　　输入电容（典型值）：1420pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263

特性

BUK555-100B 的主要特性包括：
　　1. 高电流处理能力：支持高达7A的连续漏极电流，能够满足多种功率应用场景的需求。
　　2. 低导通电阻：典型导通电阻仅为85mΩ，在高频开关应用中可显著降低功耗。
　　3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容使得器件能够在高频条件下高效运行。
　　4. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作结温范围，适应各种环境条件下的使用。
　　5. 符合RoHS标准：环保设计，满足现代电子产品的绿色要求。

应用

BUK555-100B 可用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：
　　 - 在反激式、正激式或非隔离式拓扑结构中作为主开关元件。
　　2. 电机驱动：
　　 - 用于无刷直流电机（BLDC）控制电路中的功率级开关。
　　3. DC/DC转换器：
　　 - 提供高效的功率转换功能，适用于汽车电子及工业自动化设备。
　　4. 负载切换：
　　 - 在通信设备、消费电子产品中实现快速、可靠的负载通断控制。