BUK555-100B 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器以及负载切换等场景。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效率应用的理想选择。
该MOSFET的最大漏源电压为100V,连续漏极电流可达7A,同时具有低导通电阻的特点,有助于减少功耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:7A
导通电阻(典型值):85mΩ
栅极电荷(典型值):19nC
输入电容(典型值):1420pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-263
BUK555-100B 的主要特性包括:
1. 高电流处理能力:支持高达7A的连续漏极电流,能够满足多种功率应用场景的需求。
2. 低导通电阻:典型导通电阻仅为85mΩ,在高频开关应用中可显著降低功耗。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输入电容使得器件能够在高频条件下高效运行。
4. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的工作结温范围,适应各种环境条件下的使用。
5. 符合RoHS标准:环保设计,满足现代电子产品的绿色要求。
BUK555-100B 可用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS):
- 在反激式、正激式或非隔离式拓扑结构中作为主开关元件。
2. 电机驱动:
- 用于无刷直流电机(BLDC)控制电路中的功率级开关。
3. DC/DC转换器:
- 提供高效的功率转换功能,适用于汽车电子及工业自动化设备。
4. 负载切换:
- 在通信设备、消费电子产品中实现快速、可靠的负载通断控制。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP75NF06