时间：2025/6/30 9:59:01
阅读：5
SI2318DS-T1-E3 是一款来自 Vishay 公司的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的封装，适合高效率、低功耗的应用场景。其主要特点包括极低的导通电阻和快速开关性能，非常适合用于负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
SI2318DS-T1-E3 器件以其卓越的性能和可靠性著称，能够在广泛的温度范围内保持稳定的电气特性，同时具备出色的抗电磁干扰能力。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：45mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=17ns（典型值）
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2020-8
1. 极低的导通电阻：在相同封装尺寸下，SI2318DS-T1-E3 的导通电阻显著低于其他同类产品，从而降低功率损耗并提高系统效率。
2. 小型化封装：采用 DFN2020-8 封装，节省了电路板空间，特别适用于对体积要求较高的便携式设备。
3. 快速开关性能：超低的栅极电荷和快速开关时间使其成为高频开关应用的理想选择。
4. 高可靠性和稳定性：在极端温度条件下仍能保持良好的电气性能，适合工业级或汽车级应用。
5. 环保合规性：符合 RoHS 标准，并且无卤素，满足现代电子产品的环保要求。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式设备的电池管理模块。
3. 各类 DC-DC 转换器设计。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 信号放大和功率调节电路。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
SI2306DS-T1-E3, SI2319DS-T1-E3
