K3303是一款由韩国KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于多种中高功率电子系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):≤7.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):83W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
K3303具有优异的导通性能和快速开关特性,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备良好的热稳定性和可靠性。此外,K3303具有较高的雪崩能量承受能力,能够在复杂工况下保持稳定工作。其TO-220封装形式便于散热设计,适用于高功率密度应用。该MOSFET还具备良好的抗过载能力和静电放电(ESD)保护性能。
K3303在栅极驱动方面具有较宽的栅压容限,支持4V至20V的栅极驱动电压,使其兼容多种驱动电路设计。其开关特性表现出较低的开关延迟和上升/下降时间,有助于提高高频应用中的效率和稳定性。同时,该器件具备良好的线性工作区域控制能力,适合用于线性稳压器或负载开关等应用场景。
在可靠性方面,K3303通过了严格的工业级测试,包括高温反偏测试(HTRB)、高温栅极偏置测试(HTGB)和温度循环测试等,确保其在恶劣环境下的长期稳定性。该MOSFET还具备良好的短路保护能力,可在一定条件下防止因短路引起的损坏。
K3303广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、马达驱动电路、负载开关控制以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其优异的导通性能和可靠性,K3303也常用于高效率电源模块、电源适配器、LED驱动器、UPS不间断电源以及汽车电子系统中的功率控制模块。
Si4410BDY, IRF3710, FDS6680, AOD4144