时间：2025/8/24 7:33:20
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HGT1S14N41G3VLSR是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能功率MOSFET器件。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能。该MOSFET专为高频率开关应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等场合。该器件采用TSOP（薄型小外形封装）封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的电子设备。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs=10V
漏极电流脉冲（Idm）：16A
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
HGT1S14N41G3VLSR具有多项优异的电气和热性能特点。其导通电阻非常低，使得在导通状态下功率损耗大大减少，提高了整体效率。此外，该器件的开关速度快，适合用于高频开关电路，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升系统的功率密度。其采用Trench沟槽结构，有助于优化载流子分布，降低Rds(on)并提高器件的耐压能力。该MOSFET还具有良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定工作。TSOP封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可与多种控制器或驱动器兼容，简化了电路设计。
HGT1S14N41G3VLSR主要应用于各类电源转换系统，如同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。由于其具备低导通电阻、快速开关速度和紧凑的封装，非常适合用于需要高效率和小尺寸的电源系统。
Si4410BDY、FDMS86180、FDS4410A、NTMFS4C10N
