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HGT1S14N41G3VLSR 发布时间 时间:2025/8/24 7:33:20 查看 阅读:21

HGT1S14N41G3VLSR是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能功率MOSFET器件。该器件采用了先进的Trench沟槽技术,以实现低导通电阻(Rds(on))和优化的开关性能。该MOSFET专为高频率开关应用设计,广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等场合。该器件采用TSOP(薄型小外形封装)封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适用于空间受限的电子设备。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.045Ω @ Vgs=10V
  漏极电流脉冲(Idm):16A
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSOP

特性

HGT1S14N41G3VLSR具有多项优异的电气和热性能特点。其导通电阻非常低,使得在导通状态下功率损耗大大减少,提高了整体效率。此外,该器件的开关速度快,适合用于高频开关电路,有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而提升系统的功率密度。其采用Trench沟槽结构,有助于优化载流子分布,降低Rds(on)并提高器件的耐压能力。该MOSFET还具有良好的热稳定性,即使在高负载条件下也能保持稳定工作。TSOP封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局。此外,该器件的栅极驱动要求较低,可与多种控制器或驱动器兼容,简化了电路设计。

应用

HGT1S14N41G3VLSR主要应用于各类电源转换系统,如同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。由于其具备低导通电阻、快速开关速度和紧凑的封装,非常适合用于需要高效率和小尺寸的电源系统。

替代型号

Si4410BDY、FDMS86180、FDS4410A、NTMFS4C10N

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