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GA1812A681FBGAR31G 发布时间 时间:2025/6/16 14:46:33 查看 阅读:4

GA1812A681FBGAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)技术制造,具有高效率、高增益和宽带宽的特点,能够在高频段提供卓越的输出功率。其封装形式为 FBGA(细间距球栅阵列),适合于紧凑型设计需求。

参数

型号:GA1812A681FBGAR31G
  类型:功率放大器
  制程技术:GaN(氮化镓)
  工作频率范围:1.8GHz - 2.2GHz
  输出功率:40W (典型值)
  增益:15dB (典型值)
  效率:65% (典型值)
  供电电压:28V
  封装形式:FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1812A681FBGAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效的 GaN 技术:相比传统硅基功率放大器,GaN 技术提供了更高的效率和更大的输出功率密度。
  2. 宽带操作能力:支持从 1.8GHz 到 2.2GHz 的宽带频率范围,适用于多种无线通信标准。
  3. 高增益性能:典型增益为 15dB,确保信号的有效放大。
  4. 紧凑型 FBGA 封装:有助于减少整体电路板空间占用,并提高热管理性能。
  5. 稳定的工作温度范围:能够在极端环境条件下可靠运行,适应工业和户外应用需求。

应用

GA1812A681FBGAR31G 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:如 4G LTE 和 5G 前传/回传网络中的射频功率放大。
  2. 微波链路设备:用于点对点或点对多点微波通信系统。
  3. 军事与航空航天:雷达系统、卫星通信和其他高性能射频应用。
  4. 工业与科学仪器:需要高功率射频输出的应用场景。

替代型号

GA1812A681FBGAR28G
  GA1812A681QFNAR31G
  GA1812A681WBPAR31G

GA1812A681FBGAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-