时间：2025/6/5 12:29:43
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SI2311DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于各种高效能功率转换应用。它支持高频率操作，并且能够在较宽的电压范围内工作。
该型号采用行业标准的 TO-252 (DPAK) 封装形式，有助于提高散热性能和易于 PCB 布局设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2311DS-T1-GE3 的主要特点是其低导通电阻，这有助于降低传导损耗并提高效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。
由于采用了先进的 TrenchFET 工艺，这款 MOSFET 能够在高频条件下表现出优异的性能，同时保持较高的耐用性和稳定性。
其小型封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，而高达 +175℃ 的工作温度范围则确保了在严苛环境下的可靠运行。
SI2311DS-T1-GE3 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理以及 LED 驱动等。
由于其出色的高频性能和低损耗特性，这款器件特别适合于需要高效率和小尺寸解决方案的设计。
另外，在便携式设备中的电源管理和适配器应用中也常使用此型号。
SI2308DS-T1-E3, SI2310DS-T1-E3, SI2309DS-T1-E3
