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BZT52B4V3S 发布时间 时间:2025/5/7 9:26:45 查看 阅读:11

BZT52B4V3S是一种轴向引线型齐纳二极管,属于BZT52B系列。该系列的齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压、低动态电阻以及高浪涌电流能力。BZT52B4V3S的具体反向击穿电压为4.3伏特(V)。它通常被用于电源稳压、电压基准、过压保护等电路中。
  这种齐纳二极管采用了玻璃封装技术,可以有效地提高器件的可靠性和稳定性。此外,由于其出色的温度特性,在宽温度范围内仍能保持良好的性能。

参数

型号:BZT52B4V3S
  类型:齐纳二极管
  反向击穿电压:4.3V
  最大齐纳电流:5mA
  最大功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  动态阻抗:约7欧姆(典型值)
  封装形式:DO-35(玻璃封装)

特性

BZT52B4V3S拥有较低的动态电阻,这使得它在电压稳定应用中表现优异。此外,其具备较高的浪涌电流承受能力,能够有效保护电路免受瞬态电压冲击的影响。
  BZT52B4V3S的工作温度范围非常宽广,从-55℃到+150℃,保证了在极端环境下的可靠性。
  由于采用了玻璃封装技术,这种齐纳二极管不仅机械强度高,而且防潮性好,进一步增强了长期使用的稳定性。
  此外,BZT52B4V3S符合RoHS标准,适合环保要求严格的现代电子产品设计。

应用

BZT52B4V3S广泛应用于各种需要稳压和保护的电子电路中。具体应用包括:
  1. 电源稳压器中的参考电压元件;
  2. 过压保护电路中的关键组件;
  3. 温度补偿电路中的电压基准源;
  4. 音频设备中的信号电平检测;
  5. 工业控制中的隔离保护;
  6. 汽车电子系统中的瞬态抑制。

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BZT52B4V3S参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor