时间：2025/7/10 14:46:14
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SI2309DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，旨在提供卓越的导通电阻和栅极电荷性能，适用于多种高频开关应用。其封装形式为小型化的 TSSOP，并具有出色的热性能和电气特性。
该 MOSFET 的设计使得它能够在高效率、低损耗的条件下运行，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理模块。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC
总栅极电荷：28nC
输入电容：1040pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TSSOP-8
SI2309DS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电容。
3. 支持高结温操作（高达 175°C），提高了可靠性与使用寿命。
4. 紧凑的封装尺寸，适合空间受限的设计场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 内部保护功能（如过流保护）可以通过外部电路实现，从而增强整体系统的安全性。
这些特点使其成为高性能功率转换和开关应用的理想选择。
SI2309DS-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电池供电设备中的负载开关和电源管理模块。
4. 消费类电子产品中的电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
6. 通信设备中的高效功率分配网络。
其卓越的性能使其特别适合需要高频和高效率的应用场景。
SI2303DS, SI2307DS, IRF7833PBF
