时间：2025/6/20 14:29:52
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ME2806A263XG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种开关和负载驱动应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够显著提高系统效率并降低功耗。
ME2806A263XG 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，使其在紧凑设计中表现出色，同时提供了良好的散热能力以应对高电流场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：典型值 t_d(on)=10ns, t_d(off)=15ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关电源和电机驱动等应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 提供优异的热稳定性和可靠性，确保长期运行的安全性。
6. 小型化封装设计，简化 PCB 布局并节省空间。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机控制。
3. 工业逆变器及不间断电源（UPS）。
4. LED 驱动器和固态照明方案。
5. 各种消费类电子设备中的负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统中的充放电管理模块。
IRF2807, FDP057AN, STP36NF06L
