AON2405是由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点。
该芯片通常用于消费电子、计算机外设、通信设备等应用领域,适合需要高效功率转换和低功耗的场景。
型号:AON2405
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值):6.5mΩ
IDS(连续漏极电流):71A
VGS(th)(栅极阈值电压):1.8V~3.2V
总栅极电荷(Qg):19nC
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装形式:TO-263-3 (D2PAK)
AON2405具有非常低的导通电阻,仅为6.5mΩ(典型值),从而能够有效减少功率损耗并提高效率。其额定漏极电流高达71A,适用于大电流应用场景。此外,该器件支持较宽的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在极端环境下依然具备可靠性。
AON2405还拥有较小的栅极电荷(19nC),这有助于实现更快的开关速度,并降低开关损耗。其低阈值电压(1.8V~3.2V)使得该器件非常适合由低压信号驱动的应用,例如电池供电设备或PWM控制器。
此芯片采用D2PAK封装形式,易于安装且散热性能良好,使其非常适合高功率密度的设计。
AON2405广泛应用于各类电源管理场合,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池保护与管理系统
5. 负载切换与保护
由于其出色的性能和可靠性,AON2405成为许多设计工程师在高性能功率转换应用中的首选方案。
AON2404, AONR2405, IRF3710