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AON2405 发布时间 时间:2025/4/29 10:54:38 查看 阅读:36

AON2405是由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点。
  该芯片通常用于消费电子、计算机外设、通信设备等应用领域,适合需要高效功率转换和低功耗的场景。

参数

型号:AON2405
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):6.5mΩ
  IDS(连续漏极电流):71A
  VGS(th)(栅极阈值电压):1.8V~3.2V
  总栅极电荷(Qg):19nC
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-263-3 (D2PAK)

特性

AON2405具有非常低的导通电阻,仅为6.5mΩ(典型值),从而能够有效减少功率损耗并提高效率。其额定漏极电流高达71A,适用于大电流应用场景。此外,该器件支持较宽的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在极端环境下依然具备可靠性。
  AON2405还拥有较小的栅极电荷(19nC),这有助于实现更快的开关速度,并降低开关损耗。其低阈值电压(1.8V~3.2V)使得该器件非常适合由低压信号驱动的应用,例如电池供电设备或PWM控制器。
  此芯片采用D2PAK封装形式,易于安装且散热性能良好,使其非常适合高功率密度的设计。

应用

AON2405广泛应用于各类电源管理场合,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 电池保护与管理系统
  5. 负载切换与保护
  由于其出色的性能和可靠性,AON2405成为许多设计工程师在高性能功率转换应用中的首选方案。

替代型号

AON2404, AONR2405, IRF3710

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AON2405参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1025pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-DFN-EP(2x2)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1392-6