时间：2025/10/6 14:56:22
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UPA1A472MHD6是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高性能电容产品线。该器件采用紧凑型表面贴装封装，适用于需要高稳定性和低等效串联电阻（ESR）的现代电子电路设计。UPA1A472MHD6的标称电容值为4.7μF，额定电压为10V DC，适用于去耦、滤波、旁路和储能等多种应用场景。该电容器采用X5R介电材料，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%。其小型化尺寸为0805（2012公制），适合高密度PCB布局，广泛应用于移动通信设备、便携式消费电子产品、电源管理单元以及各类嵌入式系统中。UPA1A472MHD6经过严格的可靠性测试，符合RoHS环保标准，并具备优异的抗湿性和焊接耐热性，确保在回流焊过程中不发生开裂或性能劣化。此外，该型号优化了直流偏置特性，在接近额定电压工作时仍能保持较高的有效电容值，优于传统高容值陶瓷电容的表现。
电容值：4.7μF
额定电压：10V DC
电介质材料：X5R
温度特性：±15% (-55°C ~ +85°C)
封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.2mm)
长度：2.0mm ±0.2mm
宽度：1.2mm ±0.2mm
高度：1.25mm max
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥40MΩ 或 τ≥100S（取较大者）
等效串联电阻（ESR）：典型值约5mΩ ~ 15mΩ（频率依赖）
纹波电流能力：依据应用条件而定
电容容差：±20%
直流偏置性能：在10V下仍可维持>70%初始电容值
老化率：≤2.5%/decade小时（25°C）
结构类型：多层片式陶瓷电容器
端子电极：Ni/Sn镀层，适用于回流焊
无铅兼容：是
符合标准：RoHS、AEC-Q200（部分等级适用）
UPA1A472MHD6采用先进的叠层制造工艺，内部由数十甚至上百层交替的陶瓷介质与内电极构成，显著提升了单位体积下的电容密度。其使用的X5R型介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，能够在宽温度区间内维持相对恒定的电性能，避免因环境变化导致电路响应失真。相比传统的Z5U或Y5V材质，X5R在温度稳定性与电容保持率方面有明显优势，尤其适合用于对信号完整性要求较高的模拟前端和电源稳压模块。
该器件的一个关键特性是其出色的直流偏置表现。许多高容量MLCC在施加接近额定电压的直流偏压时会出现严重的电容衰减现象，但UPA1A472MHD6通过优化介电层厚度与内电极设计，大幅减轻了这一效应，在10V工作电压下仍能保留超过70%的标称电容值，从而保证滤波和去耦效果的一致性。
此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频噪声抑制方面表现出色，特别适用于开关电源输出端的平滑滤波以及高速数字IC的电源引脚去耦。由于其结构紧凑且机械强度高，能够承受多次热循环而不产生微裂纹，提高了整机长期运行的可靠性。
UPA1A472MHD6还具备良好的抗湿性，采用密封性优良的烧结工艺，减少湿气侵入风险，降低在回流焊接过程中“爆米花”效应的发生概率。其端电极为三层电镀结构（Cu/Ni/Sn），增强了可焊性并防止焊料侵蚀，确保SMT生产线上的高良率。整体设计兼顾高性能、小型化与制造适应性，满足现代电子产品对微型化和高可靠性的双重需求。
UPA1A472MHD6广泛应用于各类需要高效电源去耦和稳定电容性能的电子设备中。在移动通信领域，它常被用于智能手机、平板电脑和无线模块中的射频放大器供电线路去耦，以消除高频干扰并提升信号质量。在便携式消费类电子产品如TWS耳机、智能手表和可穿戴设备中，该电容器因其小尺寸和高电容密度，成为电池管理芯片（BMS）、DC-DC转换器和LDO稳压器周边的理想选择。
在计算机及外围设备中，UPA1A472MHD6可用于主板上的CPU核心供电网络，配合其他容值电容组成去耦网络，吸收瞬态电流波动，维持电压稳定。同时，它也适用于FPGA、ASIC和其他大规模集成电路的电源引脚滤波，保障高速逻辑电路正常运行。
工业控制和汽车电子系统同样大量使用该型号，尤其是在车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，其宽温特性和高可靠性满足严苛环境下的运行要求。此外，在医疗电子设备、物联网节点和智能家居控制器中，UPA1A472MHD6凭借其低噪声、低损耗特性，有助于提升系统精度与能效表现。无论是用于储能、旁路还是噪声滤除，该器件都能提供稳定可靠的电气性能，支持多种复杂电路拓扑的设计实现。
GRM21BR71A475KA01L
CL21A475KAQNNNE
C2012X5R1A475K
EMK212B7104KG-T
