FDC6308P 时间：2025/8/1 18:50:44 阅读：19

FDC6308P 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的双通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装为 8 引脚 DIP（双列直插式封装）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种功率开关应用。其设计旨在提高效率和降低功耗，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备等领域。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　配置：双通道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.8A
　　导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ @ VGS=10V，每个通道
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：8-DIP

特性

FDC6308P 具有多个显著的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，RDS(ON) 仅为 55mΩ，这使得该器件非常适合用于高电流应用。此外，该 MOSFET 的高栅极电压容限（±20V）增强了其在不同电路环境下的可靠性。
　　其次，FDC6308P 采用双通道设计，允许在同一封装中实现两个独立的 MOSFET 开关。这种集成方式不仅节省了 PCB 空间，还减少了外部元件数量，从而降低了设计复杂度和成本。每个通道的额定漏极电流为 4.8A，使其能够支持中等功率级别的负载控制。
　　该器件的封装形式为 8 引脚 DIP，便于手工焊接和插入式安装，适合原型设计和小批量生产。此外，该封装具有良好的散热性能，可有效散发工作时产生的热量，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　另外，FDC6308P 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性和宽泛的环境适应能力，适用于工业级和消费级应用。其高可靠性和耐用性使其成为多种电子设备的理想选择。

应用

FDC6308P 主要用于需要高效率、低功耗的功率控制场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统和电源管理单元。在 DC-DC 转换器中，FDC6308P 可作为高侧或低侧开关，实现高效的电压转换；在负载开关应用中，它可用于控制电源的通断，减少待机功耗；在电池供电设备中，该器件可帮助延长电池寿命并提高能效。
　　此外，FDC6308P 还可用于驱动小型电机、LED 阵列和继电器等负载。由于其具备良好的热管理性能，因此也适用于需要频繁开关操作的应用场景。在工业自动化、消费电子、通信设备和汽车电子等领域，FDC6308P 都具有广泛的应用前景。