时间：2025/5/12 13:33:00
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SI2308BDS-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用小型化的 TrenchFET? Gen III 技术制造，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于高频功率转换应用。
该芯片主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、同步整流等领域，其出色的性能使其成为众多高效能电子设备的理想选择。
型号：SI2308BDS-T1-E3
封装：TSSOP-8
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：6.5mΩ
Id（连续漏极电流）：72A
Ptot（总功耗）：1.75W
f（工作频率范围）：支持高达 MHz 级别
Qg（栅极电荷，典型值）：9nC
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.5V 至 3V
结温范围：-55°C 至 +175°C
SI2308BDS-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频功率转换场景。
3. 支持高电流运行，能够满足大功率需求。
4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 小尺寸封装设计，有助于节省 PCB 空间并提高布局灵活性。
7. 可靠性高，适用于工业级及消费类电子产品。
SI2308BDS-T1-E3 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各种 DC-DC 转换器的设计。
3. 负载开关在笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的使用。
4. 电池管理系统（BMS）中作为关键控制元件。
5. 工业自动化设备中的驱动电路。
6. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
SI2305DS, SI2306DS, SI2307DS
