类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS= -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：约28mΩ（@VGS=-4.5V）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23 或 SOT-223

SI2307/CJ2307 是一款高性能的P沟道MOSFET，具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。该器件支持较高的连续漏极电流，适用于需要较高负载能力的电路设计。此外，SI2307/CJ2307 采用SOT-23或SOT-223封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
　　这款MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。其快速开关特性使其在DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用中表现出色。同时，该器件的栅极驱动电压较低，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动，简化了驱动电路设计。
　　SI2307与CJ2307在电气特性和封装上高度兼容，用户可以在不影响电路性能的前提下进行互换。CJ2307作为国产替代型号，具有成本优势，适合在国产化设计中使用。

SI2307/CJ2307 主要应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平开关电路等。在电源管理系统中，该器件可以用于控制电源的通断，提高系统的能效；在电池供电设备中，可用于电池保护电路，防止过放电和短路损坏；在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高效开关元件，提升转换效率；在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，SI2307/CJ2307 可用于实现低功耗和高效率的电源控制。

SI2302, AO3401, FDN340P