时间：2025/8/6 8:53:34
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IXSH35N120B是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，主要用于需要高效能和高可靠性的应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和耐高压的特点，非常适合用于开关电源、逆变器以及电机控制等应用。IXSH35N120B采用TO-247封装，确保了良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1200V
连续漏极电流(Id)：35A
漏源导通电阻(Rds(on))：0.115Ω（最大）
栅极阈值电压(Vgs(th))：5V（范围为3V至6V）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
IXSH35N120B具备多项显著特性，使其在高功率应用中表现卓越。
首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。这种特性对于需要高效能的电源转换器和电机控制器尤为重要。
其次，IXSH35N120B的高漏源电压（Vds）额定值为1200V，使其适用于高压环境。这种高耐压能力确保了器件在极端条件下依然能够稳定工作，提高了系统的可靠性和安全性。
此外，该MOSFET的高连续漏极电流（35A）使其能够处理大电流负载，适用于高功率应用，如工业电机驱动、电源供应器和逆变器设计。
IXSH35N120B的栅极阈值电压（Vgs(th)）为5V，这使得该器件可以轻松与标准的5V逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。
最后，TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了器件在高功率运行时的稳定性，减少了热失效的风险。
IXSH35N120B广泛应用于需要高功率和高效能的电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，该器件的低导通电阻和高耐压能力使其成为理想的开关元件，能够显著降低能量损耗，提高电源转换效率。
在电机控制应用中，IXSH35N120B可以作为电机驱动器的核心组件，其高电流容量和快速开关特性确保了电机的平稳运行和高效能。
此外，该器件也适用于逆变器设计，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，IXSH35N120B的高可靠性和耐高压特性使其成为首选元件。
工业自动化设备、电力电子转换系统以及电动汽车充电器也是IXSH35N120B的典型应用领域。在这些应用中，该MOSFET的高性能和稳定性确保了系统的长期可靠运行。
IXSH35N120AFG、IXSH35N120CF、IXFH35N120
