SSS5N20 时间：2025/8/25 5:47:35 阅读：15

SSS5N20 是一款由 Silan（士兰微电子）生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。SSS5N20 的封装形式通常为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装，适合在中高功率的 DC-DC 转换器、开关电源、电池管理系统等电路中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 2.5Ω（典型值）
　　耗散功率（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SSS5N20 具有优异的导通特性和开关性能，能够在较高的频率下工作，从而减少功率转换过程中的能量损耗。
　　其低导通电阻（RDS(on)）特性可以显著降低在导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　SSS5N20 还具有较强的抗过载能力和耐瞬态冲击能力，适用于多种复杂工况下的应用。
　　由于采用 TO-252 封装，该 MOSFET 易于安装和散热管理，适用于自动化贴片生产工艺。

应用

SSS5N20 常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件，以提高电源转换效率。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为高边或低边开关，实现电压升降压转换。
　　此外，它还可应用于电池管理系统、电机驱动电路、LED 照明驱动电源以及各种功率控制电路中。
　　由于其良好的热稳定性和抗过载能力，SSS5N20 也适用于工业控制、通信电源、消费类电子产品等对可靠性和效率要求较高的场合。