时间：2025/12/28 16:13:20
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PG24GSS23 是一款由 Panasonic（松下）公司生产的高精度、高性能的功率晶体管，属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高效率电源转换和功率控制应用设计，具备优良的导通特性和低损耗性能。PG24GSS23 采用先进的制造工艺和封装技术，确保其在高温和高负载条件下仍能稳定工作。该器件广泛应用于工业自动化、电源管理、电动汽车、可再生能源系统等领域。
类型：MOSFET（N沟道）
最大漏极电流：24A
最大漏-源电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷：60nC
功耗：300W
PG24GSS23 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，漏-源电压可达200V，适用于中高功率应用。PG24GSS23 采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能，能够有效应对高电流和高功率运行时的热量积聚。该器件的栅极电荷较低，有助于加快开关速度，从而减少开关损耗，提高整体能效。
在可靠性方面，PG24GSS23 设计有良好的热稳定性，可在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境。此外，该器件还具备较强的抗短路能力和过载保护功能，确保在异常工作条件下仍能维持一定稳定性，减少损坏风险。
PG24GSS23 的高集成度和紧凑封装设计，使其在空间受限的应用中仍能保持高性能表现。其结构优化减少了寄生电感和电容的影响，从而提高了高频工作时的稳定性。这一特性使得 PG24GSS23 在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路中表现出色。
PG24GSS23 MOSFET 主要应用于中高功率的电力电子系统，例如工业电源、服务器电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备等。该器件在这些系统中用于实现高效的电能转换与控制，提升整体系统的能效和稳定性。此外，PG24GSS23 也可用于电机驱动和负载开关控制，在自动化控制和智能电网应用中具有广泛的使用前景。
IXFN24N20T, STP24N20D
