类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：0.025Ω
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：2.3A
　　脉冲漏极电流（Idm）：9.6A
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：380pF
　　输出电容（Coss）：100pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　下降时间（tf）：15ns

2SK2024-01具备优异的电气性能和可靠性，其核心优势之一是低漏源导通电阻（Rds(on)），典型值仅为25毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适合对能耗敏感的应用场景，如移动设备和电池供电系统。
　　该器件采用先进的硅栅极技术，确保了稳定的阈值电压和一致的开关特性，从而提升了多器件并联使用时的均流能力与系统稳定性。
　　其快速的开关响应时间（包括开启延迟、上升、关断延迟和下降时间）使得该MOSFET非常适合高频开关应用，例如同步整流、负载开关和脉宽调制（PWM）控制电路，能够有效减少开关过程中的能量损耗。
　　此外，2SK2024-01具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），进一步优化了驱动电路的设计复杂度，减少了驱动功率需求，使控制器更容易驱动该器件，尤其适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合。
　　该MOSFET还具备良好的热性能，结到外壳的热阻较低，配合适当的PCB布局可实现有效的散热管理，延长器件寿命。
　　器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的要求，支持回流焊工艺，适合自动化生产流程。
　　其坚固的结构设计提供了良好的抗静电（ESD）能力和抗浪涌电流能力，在实际应用中表现出较高的鲁棒性，即使在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。

2SK2024-01广泛应用于多种低电压、高效率的功率开关场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关和电池保护电路。
　　在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或高端/低端开关，以提高转换效率并减少发热。
　　该器件也适用于LED驱动电路，特别是在需要精确控制电流和调光功能的小型照明系统中表现优异。
　　此外，2SK2024-01可用于电机驱动模块，如微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低功耗控制。
　　在消费类电子产品中，如数码相机、电子书阅读器和无线耳机的电源管理系统中，该MOSFET用于实现待机模式下的电源切断，以降低静态功耗。
　　由于其小型化封装和高集成度，也非常适合空间受限的应用场合。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器电源开关、继电器驱动以及PLC输入输出模块中的信号切换。
　　总体而言，2SK2024-01凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低功率电子系统中不可或缺的关键元件之一。

SI2302DS, AO3400, FDN302P, BSS138