时间：2025/6/20 14:21:24
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SI2305BDS 是一款来自 Vishay 的 N 河道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen II 技术，具有低导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于需要高效率和高频率的功率转换应用。
这种功率 MOSFET 主要设计用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的电源管理等场景。其封装形式为小型的 SOT-23 封装，适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻（Rds(on)）：180mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：4nC（典型值）
功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2305BDS 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，确保在高频切换时的高效性能。
2. 小尺寸的 SOT-23 封装节省了电路板空间。
3. 高速开关能力使其适用于高频 DC-DC 转换器。
4. 提供优异的热稳定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可以在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
这款 MOSFET 常用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类 DC-DC 转换器和电压调节模块。
3. 电池管理系统的功率路径控制。
4. 电机驱动和小型马达控制。
5. 信号隔离和保护电路中作为电子开关使用。
6. 任何需要低损耗功率开关的场合，例如 USB 充电器或适配器。
SI2304DS, SI2309DS, BSS138
