SI9428DY-T1-GE3 时间：2025/4/30 19:38:27 阅读：3

SI9428DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。其封装形式为 ThinPAK 8x8（DPAK），非常适合高效率功率转换应用。
　　该 MOSFET 在便携式设备、计算机、通信电源和工业控制等领域中广泛应用。其优异的动态和静态特性使其成为高效能设计的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：47A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：68nC
　　输入电容：1890pF
　　功耗：335W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SI9428DY-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关速度和低栅极电荷，能够有效减少开关损耗。
　　4. 增强的热性能设计，确保在高功率密度下的稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　6. 优化的 ESD 保护设计，增强了器件的抗静电能力。
　　7. 超薄封装设计，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。

应用

SI9428DY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
　　2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　3. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
　　4. 电机驱动器中的桥臂开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 通信设备中的功率分配和调节。
　　7. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品的电源管理方案。