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GA0603H122KBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:33:58 查看 阅读:10

GA0603H122KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足多种应用场景的需求。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和低损耗的电路设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.5A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA0603H122KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下显著降低功耗。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗,提升整体效率。
  3. 高度可靠的电气性能,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  4. 小巧的封装尺寸,适合空间受限的应用场景。
  5. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和装配。
  6. 具备优异的热管理和散热性能,确保长时间工作的稳定性。
  这些特点使得该器件非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效能和低损耗的电路中。

应用

GA0603H122KBAAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
  2. 各类负载开关和保护电路。
  3. 消费电子设备中的电源管理模块。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动。
  5. 照明系统中的LED驱动电路。
  6. 通信设备中的信号调节和功率控制。
  这款功率MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,成为许多工程师在设计高效能功率电路时的理想选择。

替代型号

GA0603H122KBAT31G, IRFZ44N, FDP5580

GA0603H122KBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-