型号：CL21C270GBANNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：27pF
　　容差：±2%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15%
　　产品等级：工业级
　　安装类型：表面贴装（SMD/SMT）
　　包装方式：卷带包装（Tape & Reel）
　　符合标准：RoHS合规，无卤素（Halogen Free）

CL21C270GBANNNC所采用的X7R介电材料赋予了其优异的温度稳定性与适中的电容量表现。在-55°C到+125°C的宽温范围内，其电容值漂移控制在±15%以内，这使得它能够在环境温度波动较大的应用场景中保持相对稳定的电气性能，例如工业控制系统、车载电子设备或户外通信单元。相较于Y5V或Z5U类介质，X7R材料的老化速率更低，通常每年电容减少约2.5%，这意味着在长时间运行下仍能维持较为可靠的去耦或滤波功能，避免因电容衰减导致系统异常。
　　该器件具备50V的额定直流电压，能够承受一定的电压应力，在电源轨的局部去耦设计中表现出色，尤其适用于为数字IC、运算放大器或射频模块提供高频噪声旁路。虽然其27pF的标称电容值较小，但在此类高频应用中恰恰有利于实现快速响应和低阻抗路径。此外，由于陶瓷电容本身具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），因此在GHz以下频率段内可有效抑制开关噪声和瞬态干扰。
　　结构上，CL21C270GBANNNC采用多层堆叠工艺制造，内部由数十甚至上百层交替排列的金属电极与陶瓷介质构成，从而在微小体积内实现所需电容值。这种结构也增强了机械强度和热循环耐受能力，使其在经历多次回流焊或温度冲击时不易产生裂纹。同时，端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构（Ni/Sn electrode），确保良好的可焊性和抗氧化性能，兼容主流无铅焊接工艺。
　　值得注意的是，尽管X7R MLCC性能优良，但其电容值会随施加的直流偏压而下降。例如，在接近50V工作电压时，实际可用电容可能仅为标称值的70%-80%。因此在关键电路设计中需参考厂商提供的DC bias曲线进行降额设计。总体而言，该器件在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，适用于大多数非精密但要求可靠性的电子系统。

CL21C270GBANNNC因其稳定的电气特性和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能家居控制板，该电容常用于处理器周围的电源去耦网络，以滤除高频噪声并稳定供电电压，防止数字电路切换引起的电压波动影响系统稳定性。此外，在射频前端模块中，27pF的精确电容值可用于构建LC滤波器、阻抗匹配网络或谐振回路，帮助优化天线或功率放大器的性能，提高信号传输效率。
　　在工业自动化设备中，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路或数据采集系统的信号调理部分，起到交流耦合、高频滤波或时钟信号整形的作用。由于其工作温度范围宽，能够在恶劣环境中保持基本功能，因此也适用于工业网关、远程I/O单元等部署在非恒温场所的设备。在汽车电子领域，虽然该型号不属于AEC-Q200认证的车规级部件，但仍可用于车身控制模块、信息娱乐系统或辅助驾驶系统的非安全相关外围电路中，执行一般的去耦和噪声抑制任务。
　　通信基础设施如路由器、交换机和基站板卡中同样大量使用此类MLCC。CL21C270GBANNNC可用于高速信号通道的旁路设计，配合其他无源元件构建EMI滤波器，满足电磁兼容性（EMC）要求。此外，在电源管理电路中，它可以作为反馈环路中的补偿元件或开关稳压器输入输出端的滤波电容，提升整体电源质量。总之，只要对温度系数和老化特性要求不过于严苛，该型号均可作为通用型陶瓷电容的理想选择。

GRM21BR71H270KA01L
　　CC0805KRX7R9BB270
　　C2012X7R1H270K