SI2303ADS-T1-E3 时间：2025/6/17 9:40:19 阅读：6

SI2303ADS 是 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的功率转换和负载开关应用。其封装形式为小型化的 TSSOP 封装（T1-E3 版本），有助于节省 PCB 空间并提升散热性能。
　　SI2303ADS 适用于需要高性能、低功耗的电路设计场景，特别是在消费电子和工业控制领域中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻：7mΩ
　　栅极电荷：15nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TSSOP

特性

SI2303ADS 提供了出色的电气性能，其主要特点如下：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频 PWM 应用。
　　3. 优化的栅极电荷设计，减少了驱动器的负担。
　　4. 较宽的工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定性。
　　5. 内置静电保护功能，提高了器件的可靠性。
　　6. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。

应用

该 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器的主开关或辅助开关。
　　3. 电池供电设备中的负载开关。
　　4. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　5. 各种便携式电子产品中的电源管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
　　7. 可再生能源系统中的逆变器及功率调节单元。